[发明专利]一种二维相变存储器单元结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410074959.X | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103904214B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 亢勇;陈邦明;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维相变存储器单元结构，包括一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层内设有下电极，所述下电极的下表面连接所述衬底晶圆；设置于所述第一绝缘层和所述下电极上方的第二绝缘层；设置于所述第二绝缘层内并覆盖所述下电极上表面的相变结构，且该相变结构包括依次设置于下电极上方的第一相变辅助层、相变材料层和第二相变辅助层。本发明还提供了制备该结构的方法，所得的二维相变存储器单元结构具有极薄的相变材料层，工作时，在电场和热场的作用下，相变材料层无需达到熔融状态，可以通过和相变辅助层之间交换原子或自身发生相变，从而改变自身的电阻值，实现低能耗的非易失性存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 相变 存储器 单元 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二维相变存储器单元结构，其特征在于，包括：一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层内设有下电极，所述下电极的下表面连接所述衬底晶圆；设置于所述第一绝缘层和所述下电极上方的第二绝缘层；设置于所述第二绝缘层内并覆盖所述下电极上表面的相变结构；其中，所述相变结构包括依次设置于所述下电极上方的第一相变辅助层、相变材料层和第二相变辅助层。
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