[发明专利]一种缺陷态可热调谐的二维声子晶体结构

摘要

本发明公开了一种缺陷态可热调谐的二维声子晶体结构，本发明所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，二维晶格单元由相互平行的钛酸锶钡柱体及缺陷钛酸锶钡柱体在环氧基树脂中按二维晶格排列；二维晶格单元的钛酸锶钡柱体至少五层，二维晶格的晶格常数a为1～10cm；所述的二维声子晶体结构由一种或几种密度不同的多层单元叠加组成，本发明获得缺陷态的二维声子晶体结构不需要改变柱体几何形状或其材料性质，只需简单的温度调节温度敏材料钛酸锶钡，即可获得缺陷态，并且缺陷态频率位置会随缺陷温度连续变化；其制作工艺简单，可设计性强。

主权项

 一种缺陷态可热调谐的二维声子晶体结构，其特征在于：所述的二维声子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行的第一钛酸锶钡柱体（2）及第一缺陷钛酸锶钡柱体（3）在环氧基树脂中按二维晶格排列；所述第一钛酸锶钡柱体（2）和第一缺陷钛酸锶钡柱体（3）的边长相等，其边长是0.755a；改变第一缺陷钛酸锶钡柱体（3）的温度，使其温度T_d不同于上述第一钛酸锶钡柱体（2）及环氧基树脂的温度T_p, 其中a为晶格常数，T_d为第一缺陷钛酸锶钡柱体的温度，T_p为第一钛酸锶钡柱子及环氧基树脂的温度；所述第一钛酸锶钡柱体（2）及环氧基树脂温度固定，所述第一缺陷钛酸锶钡柱体（3）温度从30℃变化到50℃；所述的二维晶格单元的钛酸锶钡柱体至少五层，所述的第一缺陷钛酸锶钡柱体（3）位于二维晶格单元的中心，所述二维晶格的晶格常数a为1～10cm。