[发明专利]临界导通全负载高功率因素校正电路

摘要

本发明公开了一种临界导通全负载高功率因素校正电路，包括整流桥、可控升压电感、临界导通功率因素校正电路、负载判断电路、悬浮驱动电路，特征在于：输入电网电压与整流桥输入端连接，整流桥输出正端与可控升压电感输入端连接，可控升压电感输出端与临界导通功率因素电路连接，临界导通功率因素电路输出电压Vo，负载判断电路的输入端与临界导通功率因素校正电路连接，负载判断电路的输出与悬浮驱动电路输入连接，悬浮驱动电路的输出与可控升压电感控制端连接。本发明通过在不同的负载区间，改变临界导通模式功率因素校正电路的升压电感，实现从空载到满载都具有高功率因素和低谐波失真的功率因素校正。

主权项

1.一种临界导通全负载高功率因素校正电路，包括整流桥、可控升压电感、临界导通功率因素校正电路、负载判断电路、悬浮驱动电路，特征在于：输入电网电压与整流桥输入端连接，整流桥输出正端与可控升压电感输入端连接，可控升压电感输出端与临界导通功率因素电路连接，临界导通功率因素电路输出电压Vo，负载判断电路的输入端与临界导通功率因素校正电路连接，负载判断电路的输出与悬浮驱动电路输入连接，悬浮驱动电路的输出与可控升压电感控制端连接，整流桥输出负端与悬浮驱动电路的接地端、负载判断电路的接地端、临界导通功率因素校正电路接地端汇接；所述的可控升压电感包括第一升压电感L1、第二升压电感L2、MOS管T1，第一升压电感L1、第二升压电感L2绕在同一磁芯上，第一升压电感L1的非同名端、MOS管T1的漏极D与整流桥输出正端汇接，第一升压电感L1的同名端与第二升压电感L2的非同名端、MOS管T1的源极S、悬浮驱动电路输出参考地VS汇接，第二升压电感L2的同名端与临界导通因素校正电路的升压二极管D1的阳极、临界导通因素校正电路的MOS管T2的漏极D汇接，MOS管T1的栅极G与悬浮驱动电路的输出端HO连接；临界导通功率因素校正电路包括升压二极管D1、滤波电容E1、MOS管T2、电流检测电阻R1和PFC控制器，升压二极管D1的阳极与MOS管T2的漏极D连接，MOS管T2的源极S与电流检测电阻R1的上端连接，PFC控制器的输出与MOS管T2的栅极G连接，升压二极管的阴极与滤波电容E1的上端连接，滤波电容E1的下端与电流检测电阻R1的下端汇接接地；负载判断电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1与比较器U，电阻R2的右端与电阻R1的上端连接，电阻R2的左端与电容C1的上端、比较器U的正端汇接，电阻R4的上端与电阻R3的左端、比较器U的负端汇接，电阻R3的右端与电源VCC连接；悬浮驱动电路包括高压悬浮驱动芯片IR2117、电容C2、电容C3、自举二极管D2，高压悬浮驱动芯片IR2117的输入脚IN与负载判断电路比较器U的输出连接，电容C2的左端与自举二极管D2的下端、电源VCC汇接，高压悬浮驱动芯片IR2117的COM脚接地，自举二极管D2的上端与高压悬浮驱动芯片IR2117的VB脚、电容C3的左端汇接，高压悬浮驱动芯片IR2117的输出脚HO与可控升压电感的MOS管T1的栅极G连接，电容C3的右端与高压悬浮驱动芯片IR2117的输出参考地VS连接。