[发明专利]环型磁性随机存取存储器单元结构的制造方法有效
| 申请号： | 201410071631.2 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882538B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张永兴;王灵玲;张宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G03F7/00;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环型MRAM单元结构的制造方法，包括提供衬底，在衬底上依次淀积下电极层、MTJ薄膜、上电极层和硬掩模层；在硬掩模层上旋涂对光线强度敏感的双重显影技术专用的光刻胶层；提供针对环形MTJ而专门设计的掩模版，对光刻胶层作曝光；用正性水成显影液对光刻胶层作初次显影，留下被掩模版遮挡的正下方处的柱状光刻胶层；用负性有机显影液对留下的光刻胶层作再次显影，去除柱状光刻胶层中靠近中心的部分，留下靠外侧的部分，形成筒状光刻胶层；以光刻胶层为掩模，刻蚀下方的硬掩模层；以硬掩模层为掩模，依次刻蚀下方的上电极层和MTJ薄膜，形成环型的MTJ。本发明使用专门设计的掩模版并结合双重显影工艺实现了制造小尺寸环型MRAM单元结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 单元 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种环型磁性随机存取存储器单元结构的制造方法，包括步骤：A.提供一半导体衬底(101)，在所述半导体衬底(101)表面淀积一下电极层(102)；B.在所述下电极层(102)上依次淀积一磁性隧道结薄膜(103)和一上电极层(104)；C.在所述上电极层(104)表面淀积一硬掩模层(105)；D.采用对光线强度敏感的双重显影技术专用的光刻胶，在所述硬掩模层(105)表面旋涂形成一光刻胶层(106)；E.提供专门设计的一掩模版(107)，对所述光刻胶层(106)进行曝光，所述曝光动作会有部分光线影响到被所述掩模版(107)遮挡的其正下方位置处的柱状部分的所述光刻胶层(106)的靠近外侧部分；F.移除所述掩模版(107)，采用正性水成显影液对所述光刻胶层(106)进行初次显影，留下原先被所述掩模版(107)遮挡的其正下方位置处的柱状的光刻胶层(106)；G.采用负性有机显影液对留下的所述光刻胶层(106)进行再次显影，去除柱状的所述光刻胶层(106)中靠近中心部分的光刻胶，留下其靠近外侧部分的光刻胶，形成筒状的光刻胶层(106)；H.以筒状的所述光刻胶层(106)为掩模，干法刻蚀其下方的所述硬掩模层(105)，然后去除所述光刻胶层(106)；I.以所述硬掩模层(105)为掩模，依次干法刻蚀其下方的所述上电极层(104)和所述磁性隧道结薄膜(103)，形成纵向方向上为环型的磁性隧道结。
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