[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201410062345.X | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103839825A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 毛雪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，用以简化薄膜晶体管的制作工艺流程。所述方法包括：在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程；其中，形成所述有源层和欧姆接触层，具体为：在衬底基板上形成非晶硅层；采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成的欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺；准分子激光退火工艺后的非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程；其中，形成所述有源层和欧姆接触层，具体为：在衬底基板上形成非晶硅层；采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成的欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺；准分子激光退火工艺后的非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
