[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程；

其中，形成所述有源层和欧姆接触层，具体为：

在衬底基板上形成非晶硅层；

采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成的欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；

对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺；准分子激光退火工艺后的非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；

对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述准分子激光退火工艺的条件为：激光脉冲频率为100～400Hz，激光重叠率为90%～98%，激光脉冲宽度<100ns，激光能量密度为100～600mJ/cm²。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述非晶硅层之后，杂质离子注入之前，还包括：对所述非晶硅层进行热退火工艺处理。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述非晶硅层之前还包括：在所述衬底基板上形成一层覆盖整个衬底基板的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用离子注入法对所述非晶硅层待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，具体为：采用离子注入法对所述非晶硅层待形成欧姆接触层的区域进行硼或磷杂质离子的注入，形成初始欧姆接触层。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成低温多晶硅薄膜晶体管的过程以及形成存储电容的下电极的过程；

所述低温多晶硅薄膜晶体管的形成过程至少包括如下步骤：

在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程；

其中，形成所述有源层和欧姆接触层，具体为：

在衬底基板上形成非晶硅层；

采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成的欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；

对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺；准分子激光退火工艺后的非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；

对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用离子注入法对所述非晶硅层的待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入的同时，还包括：在非晶硅层上待形成的存储电容的下电极对应的区域进行杂质离子的注入，待形成的存储电容的下电极对应的区域形成初始存储电容的下电极。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管的形成过程还包括权利要求2-5任一所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法。

9.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求1-5任一权项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法制作而成。

10.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求6-8任一所述的阵列基板的制作方法制作而成。