[发明专利]用于湿法刻蚀工艺的酸槽有效
| 申请号： | 201410060590.7 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839773B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 宋振伟;徐友峰;陈晋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于湿法刻蚀工艺的酸槽，包括用于放置半导体衬底的衬底支架，所述衬底支架包括支架底座；多个支撑柱，设置于所述支架底座上，所述支撑柱上设置有旋转装置，所述半导体衬底设置于所述旋转装置上，所述半导体衬底能够随着所述旋转装置进行转动。本发明通过在酸槽的衬底支撑架上设置旋转装置，使得半导体衬底能够随着旋转装置进行转动，使得半导体衬底上的图形能够在某段时间内平行于水流方向，更有效的去除位于图形附近的颗粒缺陷，提高了湿法刻蚀的清洗效果和最终形成的半导体衬底的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 湿法 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于湿法刻蚀工艺的酸槽，包括用于放置半导体衬底的衬底支架，其特征在于，所述衬底支架包括：支架底座；多个支撑柱，设置于所述支架底座上，所述支撑柱上设置有旋转装置，所述半导体衬底设置于所述旋转装置上，所述半导体衬底能够随着所述旋转装置进行转动，所述旋转装置为滚轮，所述滚轮内设置有卡槽，所述半导体衬底设置于所述卡槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
