[发明专利]一次性编程器件和半导体器件

摘要

一种一次性编程器件包括具有栅极或沟道区的场效应半导体晶体管，所述栅极或沟道区包括占用面积的形状，从而使得在场效应半导体晶体管的导通状态下，在场效应半导体晶体管的沟道区、本体区或漏极区的区域内达到临界电场，由于占用面积的形状导致场效应半导体晶体管的沟道区或本体区和漏极区之间的p-n结的损坏，或导致预定编程时间之后场效应半导体晶体管的栅极绝缘的损坏。

主权项

一种一次性编程器件，包括场效应半导体晶体管，其中所述场效应半导体晶体管的栅极或沟道区包括如下占用面积的形状，由于所述占用面积的形状使得在所述场效应半导体晶体管的导通状态下，在所述场效应半导体晶体管的沟道区、本体区或漏极区的区域内达到临界电场，导致预定编程时间之后所述场效应半导体晶体管的栅极绝缘的损坏，或导致所述场效应半导体晶体管的所述沟道区或所述本体区和所述漏极区之间的p‑n结的损坏。