[发明专利]一种半绝缘GaN外延结构在审
| 申请号： | 201410056963.3 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733510A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半绝缘GaN外延结构，从下至上依次包括硅衬底层，缓冲层和GaN层，其特征在于：在所述缓冲层和GaN层之间插有一层Al组分的摩尔含量恒定的AlyGa1-yN，其中0＜y＜1。本发明能够有效的阻止Si原子从衬底层扩散到GaN层中，减少了氮化镓外延层中的位错等缺陷密度，提高了半绝缘GaN的晶体质量和表面形貌，优化了生长工艺，降低了生长成本，提高了产品的良率。此外，该半绝缘氮化镓基高电子迁移率晶体（HEMTs）具有更高的电子迁移速率、高功率密度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 gan 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种半绝缘GaN外延结构，从下至上依次包括硅衬底层、缓冲层和GaN层，其特征在于：在所述缓冲层和GaN层之间插有一层Al组分的摩尔含量恒定的AlyGa1‑yN，其中0＜y＜1。
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