[发明专利]一种半绝缘GaN外延结构在审
| 申请号： | 201410056963.3 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733510A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 gan 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半绝缘GaN外延结构，从下至上依次包括硅衬底层、缓冲层和GaN层，其特征在于：在所述缓冲层和GaN层之间插有一层Al组分的摩尔含量恒定的AlyGa1-yN，其中0＜y＜1。
2.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述缓冲层包括但不限于下列材料中的一种：AlN、AlGaN、AlGaN/GaN。
3.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述硅衬底为硅（111）衬底。
4.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长厚度为50-300nm。
5.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述AlGaN/GaN缓冲层中GaN的厚度为200nm，AlGaN的厚度为50-300nm。
6.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述AlyGa1-yN的生长温度为1020-1060℃，生长厚度为0.1-1μm。
7.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述AlyGa1-yN中Al组分的摩尔含量y为5%-95%。
8.根据权利要求1所述一种半绝缘GaN外延结构，其特征在于：所述GaN层的生长温度为1000-1100℃，生长厚度为0.9-1.5μm。
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