[发明专利]一种在受控衬底剥脱期间促进开裂萌生的方法有效
申请号: | 201410054708.5 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN104008963B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | S·W·比德尔;K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;P·A·劳罗;D·K·萨达那;D·沙赫莉亚迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种在受控衬底剥脱期间促进开裂萌生的方法。提供了一种方法,其中,能够以受控方式剥脱包括不同的断裂韧度(KIc)的各种材料的衬底。特别地,在应力源层形成之前,在衬底的表面部分内形成表面台阶区域。在衬底的表面部分内的表面台阶区域的存在,能够控制在所述衬底内出现开裂萌生的深度和容易性。 | ||
搜索关键词: | 一种 受控 衬底 剥脱 期间 促进 开裂 萌生 方法 | ||
【主权项】:
一种用于从衬底去除材料层的方法,所述方法包括:提供衬底,所述衬底从下到上包括基础部分和表面部分,所述基础部分包含至少一种第一材料并具有第一断裂韧度,以及所述表面部分包含至少一种第二材料并具有第二断裂韧度,其中,所述第二断裂韧度不同于所述第一断裂韧度,以及其中表面台阶区域位于所述衬底的每个垂直边缘处且在所述衬底的前侧上;在所述衬底的所述前侧的顶上形成应力源层;通过剥脱从所述衬底去除材料层,其中,开裂传播仅发生在所述第一材料或所述第二材料中的一者中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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