[发明专利]一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法有效
| 申请号： | 201410049914.7 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103794688B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;陈志远;朱丽虹;曾凡明;林飞 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体结构 gan led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层；所述掩膜层的厚度大于目的光子晶体结构厚度；3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶，利用具有纳米结构的硬模板直接进行纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4)对外延片进行残胶去除以保证胶体纳米孔状结构中的残胶均被移除；5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6)去除掩膜层表面所有残余压印胶；7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)相同的透明导电层；再次蒸镀的透明导电层的蒸镀厚度小于步骤2)中所述掩膜层的厚度；8)去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构GaN基LED。
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