[发明专利]真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法无效
| 申请号： | 201410049865.7 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104045085A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 马兴忠 | 申请（专利权）人： | 鸡西市兴中科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 158170 黑龙江省*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法。它的步骤是：1、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料；2、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料；3、在所述的反应料上堆埋保温料，所述的保温料的料层厚度为80mm～120mm；4、在所述的保温料上堆埋过滤料，所述的过滤料是由粒度为10mm～20mm的石英石粒构成的，使用后经过水洗可重复使用。本发明的特点是，通过冶炼堆料时加设过滤料层，可实现冶炼碳化硅时回收的一氧化碳更洁净，更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 温控 调压 碳化硅 冶炼 新方法 | ||
【主权项】：
真空温控调压碳化硅冶炼炉的冶炼堆料新方法，其特征在于，它的步骤是：①、在炉体内炉芯发热体的下部堆放焙烧料；②、在所述的炉芯发热体上及周围堆埋反应料；③、在所述的反应料上堆埋保温料，所述的保温料的料层厚度为80mm～120mm；④、在所述的保温料上堆埋过滤料，所述的过滤料是由粒度为10mm～20mm的石英石粒构成的，使用后经过水洗可重复使用。
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