[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 201410045965.2 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835842A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 方磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LDMOS器件。所述LDMOS器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；环绕所述体区的深掺杂区，其从所述体区向下延伸，并横向地向所述漂移区延伸至至少与所述漂移区邻接，所述深掺杂区具有第一导电类型；栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述漂移区的一部分；源极和漏极，其位于所述栅极的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源极间隔开。根据本发明的LDMOS器件能够提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：半导体衬底;体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；环绕所述体区的深掺杂区，其从所述体区向下延伸，并横向地向所述漂移区延伸至至少与所述漂移区邻接，所述深掺杂区具有第一导电类型；栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述漂移区的一部分；源极和漏极，其位于所述栅极的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源极间隔开。
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