[发明专利]LDMOS器件

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：

半导体衬底;

体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；

环绕所述体区的深掺杂区，其从所述体区向下延伸，并横向地向所述漂移区延伸至至少与所述漂移区邻接，所述深掺杂区具有第一导电类型；

栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述漂移区的一部分；

源极和漏极，其位于所述栅极的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及

体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源极间隔开。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深掺杂区的边缘与所述体区的边缘在所述横向上的距离为0.2μm～0.7μm。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述漂移区内且在所述栅极与所述漏极之间形成有第一隔离结构。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述体区内且在所述源极与所述体区引出区之间形成有第二隔离结构。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深掺杂区的掺杂浓度低于所述体区的掺杂浓度。

7.如权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体区的离子注入剂量为1×10¹³～3×10¹³cm^-2。

8.如权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述深掺杂区的离子注入剂量为1×10¹²～5×10¹²cm^-2。

9.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述半导体衬底包括硅基底、形成在所述硅基底表面处的掩埋层以及形成在所述掩埋层之上的外延层。

10.如权利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于，所述掩埋层中的掺杂剂为锑。