[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410045877.2 | 申请日： | 2010-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730515A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;渡部刚吉;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：基板上的栅电极；所述栅电极上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的半导体层；所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；所述绝缘层上的像素电极，该像素电极通过所述绝缘层的开口电连接至所述第一杂质半导体层；以及所述像素电极上的液晶元件，其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板上的栅电极；所述栅电极上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的半导体层；所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；所述绝缘层上的像素电极，该像素电极通过所述绝缘层的开口电连接至所述第一杂质半导体层；以及所述像素电极上的液晶元件，其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后减小。
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