[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410045877.2 | 申请日： | 2010-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730515A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;渡部刚吉;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基板上的栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的半导体层；
所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；
所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；
所述绝缘层上的像素电极，该像素电极通过所述绝缘层的开口电连接至所述第一杂质半导体层；以及
所述像素电极上的液晶元件，
其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后减小。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体层中具有所述氮浓度的最大值的所述半导体层的区域所处的位置离所述栅绝缘层比离所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层近。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮浓度的最大值大于或等于1×1020原子/cm3且小于或等于1×1021原子/cm3。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮浓度由SIMS测量。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括微晶半导体层。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括包含非晶半导体的层。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括混合层，该混合层包括非晶半导体区和微晶半导体区。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括电容器，该电容器包括电容器布线、所述栅绝缘层和所述像素电极，所述电容器布线包括与所述栅电极的材料相同的材料。
9.一种半导体器件，包括：
基板上的栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的半导体层；
所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；
所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；
所述绝缘层上的像素电极，该像素电极通过所述绝缘层的开口电连接至所述第一杂质半导体层；以及
所述像素电极上的液晶元件，
其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后为恒定的值。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氮浓度的最大值大于或等于1×1020原子/cm3且小于或等于1×1021原子/cm3。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氮浓度由SIMS测量。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括微晶半导体层。
13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括包含非晶半导体的层。
14.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括混合层，该混合层包括非晶半导体区和微晶半导体区。
15.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括电容器，该电容器包括电容器布线、所述栅绝缘层和所述像素电极，所述电容器布线包括与所述栅电极的材料相同的材料。
16.一种半导体器件，包括：
基板上的栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的半导体层；
所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；
所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；
所述绝缘层上的像素电极，该像素电极电连接至所述第一杂质半导体层；以及
所述像素电极上的发光层，
其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后减小。
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