[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410045868.3 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835726A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作半导体器件的方法，根据本发明的制造工艺采用硅化工艺提高了金属栅极间隙填充的能力。在金属栅极形成之后，多晶硅层填充到金属栅极沟槽中，再在多晶硅上沉积形成镍或者钴金属层，执行热处理工艺（退火）以使多晶硅转换成金属硅化物，接着实施平坦化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，其中所述虚拟栅极包括虚拟栅极材料层、覆盖层和高K介电层；在所述半导体衬底上形成层间介电层，所述层间介电层的顶部和所述虚拟栅极的顶部齐平；去除所述虚拟栅极材料层，以露出所述覆盖层；在所述半导体衬底上依次形成功函数金属层、阻挡层、多晶硅层和金属层；执行热处理工艺，以使所述多晶硅层和所述金属层反应形成金属硅化物层；执行平坦化工艺，以露出所述层间介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045868.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式充电装置
- 下一篇：一种多组电瓶分组同时充电装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
