[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201410043853.3 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972348B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朴范斗;金台镇;金珉奭;成永运;李尚俊;李泰庸;洪起勇;黄善教 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离，并且在所述发光结构的与接触部接触的部分中形成含有Be的扩散区，其中所述扩散区形成在第一半导体层的整个下表面中。
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