[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410042193.7 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810266B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧衬底内形成掺杂区；在掺杂区表面形成第一金属层；在掺杂区表面形成第一金属接触层；在第一金属接触层表面形成第二金属层；对第二金属层进行第二退火处理，使第二金属层中的金属扩散至第一金属接触层内，将第一金属接触层转化为第二金属接触层，第二金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度低于第一金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度。本发明采用退火处理工艺使金属原子扩散至第一金属接触层内，形成的第二金属接触层的金属原子分布均匀，具有较强的降低第二金属接触层与衬底间肖特基势垒高度的能力，从而降低半导体器件的接触电阻，优化半导体器件的驱动性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的衬底进行掺杂，在所述衬底内形成掺杂区；在所述掺杂区表面形成第一金属层；对所述第一金属层进行第一退火处理，在掺杂区表面形成第一金属接触层；在所述第一金属接触层表面形成第二金属层，所述第二金属层具有调节第一金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度的作用，且所述第二金属层的材料为TiAl或TaAl；对所述第二金属层进行第二退火处理，使第二金属层中的金属原子扩散至第一金属接触层内，将第一金属接触层转化为第二金属接触层，且第二金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度低于第一金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
