[发明专利]复合膜高效晶体硅太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201410039368.9 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103794658A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张良;李良;闻震利;连锦坤;王霞 | 申请（专利权）人： | 镇江大全太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/44;C23C16/42 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 212211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造技术，具体是一种复合膜高效晶体硅太阳能电池及其制造方法。本发明的复合膜高效晶体硅太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的SiNx材料层、沉积在SiNx材料层上的SiONy材料层；所述SiNx材料层的不同厚度处折射率在2.0-2.3范围变化；所述SiONy材料层的不同厚度处折射率在1.5-1.9范围变化。本发明能够提高晶体硅太阳能电池效率、有利于消除PID效应。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 高效 晶体 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合膜高效晶体硅太阳能电池，其特征是：它包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的SiNx材料层、沉积在SiNx材料层上的SiONy材料层；所述SiNx材料层的不同厚度处折射率在2.0‑2.3范围变化；所述SiONy材料层的不同厚度处折射率在1.5‑1.9范围变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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