[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410035614.3 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103996711B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;松田司;福留秀畅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，形成在衬底上以与第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在第一鳍上且在第一栅电极的两侧；以及第一金属合金层，在第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 源/漏极 栅电极 衬底 抬高 金属合金层 上表面 侧壁 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，在衬底上，与所述第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在所述第一鳍上且在所述第一栅电极的一侧；接触，在所述第一抬高源/漏极上而与所述第一鳍相对；以及第一金属合金层，在所述第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上，以与所述第一鳍和所述接触直接接触。
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