[发明专利]具有软错误翻转抗扰性的易失性存储器元件

摘要

本发明涉及具有软错误翻转抗扰性的易失性存储器元件。提供一种存储器元件，当其经受高能原子粒子冲击时展现出对软错误翻转事件的抗扰性。存储器元件可以各自具有十个晶体管。为克服写入数据到存储器元件的困难，可以调整向阵列提供的信号中一个或多个的信号强度。可以具有用于向每个存储器元件供电的两个正电源电压。电源电压中的一个可以相对于另一个电源电压临时降低，从而在数据加载操作期间增强写入容限。以该方式可以调整的其它信号强度包括其它电源信号、数据信号电平、地址和清除信号幅度以及地信号强度。可调节电源电路和数据读写控制电路可以用于进行这些信号强度的调整。

主权项

一种存储器元件，其包括：至少具有第一和第二数据存储节点的双稳态元件；数据线：第一访问电路，其耦合在所述数据线和所述第一数据存储节点之间；第二访问电路，其耦合在所述数据线和所述第二数据存储节点之间；其中：在写入操作期间，所述第一访问电路被配置为在所述数据线和所述第一数据存储节点之间传递写入数据信号，并且所述第二访问电路被配置为在所述数据线和所述第二数据存储节点之间传递所述写入数据信号；以及在读取操作期间，所述第一访问电路被配置为在所述第一数据存储节点和所述数据线之间传递读取数据信号，并且所述第二访问电路被配置为阻止数据信号在所述第二数据存储节点和所述数据线之间传递。