[发明专利]一种TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201410030012.9 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104792585B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赵耀斌;戴海波;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品制备的方法，所述制备方法至少包括步骤提供一半导体结构，所述半导体结构中包含目标检测区域，所述目标检测区域自下而上依次包括第一目标层、狭缝和第二目标层；在所述目标检测区域至少一侧的半导体结构中形成通孔；在所述目标检测区域的侧壁上沉积用于将所述第一目标层和第二目标层连接的金属连接层；分离所述目标检测区域；取出所述目标检测区域，将所述目标检测区域固定于TEM固定部件上并将所述金属连接层去除。本发明通过在目标检测区域的侧壁上沉积金属连接层，使样品进行切割时所述第一目标层和第二目标层不会因为之间存在狭缝而发生位置的移动，并且在进行切割后便于所述目标检测区域从半导体器件中取出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法至少包括步骤：1）提供一半导体结构，所述半导体结构中包含目标检测区域，所述目标检测区域自下而上依次包括第一目标层、第二目标层、及处于所述第一目标层和第二目标层之间使所述第一目标层和第二目标层分离的狭缝；2）在所述目标检测区域至少一侧的半导体结构中形成通孔，所述通孔暴露出所述目标检测区域的侧壁；3）在暴露出的所述目标检测区域的侧壁上沉积用于将所述第一目标层和第二目标层连接的金属连接层；4）切割使所述半导体结构中的所述目标检测区域分离出来；5）取出所述目标检测区域，将所述目标检测区域固定于TEM固定部件上，并将所述金属连接层去除，从而完成TEM样品的制备。
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