[发明专利]一种TEM样品的制备方法

权利要求书

1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法至少包括步骤：

1）提供一半导体结构，所述半导体结构中包含目标检测区域，所述目标检测区域自下而上依次包括第一目标层、第二目标层、及处于所述第一目标层和第二目标层之间使所述第一目标层和第二目标层分离的狭缝；

2）在所述目标检测区域至少一侧的半导体结构中形成通孔，所述通孔暴露出所述目标检测区域的侧壁；

3）在暴露出的所述目标检测区域的侧壁上沉积用于将所述第一目标层和第二目标层连接的金属连接层；

4）切割使所述半导体结构中的所述目标检测区域分离出来；

5）取出所述目标检测区域，将所述目标检测区域固定于TEM固定部件上，并将所述金属连接层去除，从而完成TEM样品的制备。

2.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中金属连接层采用离子束诱导沉积工艺来制备，离子源为Ga或In源，离子束的入射角度范围为0～7度，离子束电压为5～30kV，离子束的能量范围为5～30keV，离子束电流为10～21000pA。

3.根据权利要求2所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述金属连接层的材料为钨或铂。

4.根据权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述金属连接层为长方形薄片，其厚度范围为50～300nm。

5.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述第一目标层和第二目标层均为低K介质层。

6.根据权利要求5所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述低K介质层为含氮的碳化硅或含碳的二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述目标检测区域还包括位于所述第一目标层背面的半导体衬底。

8.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中还包括采用离子束诱导沉积工艺在所述第二目标层表面沉积保护层的步骤；制备的保护层的材料为钨或铂。

9.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中采用聚焦离子束工艺在所述目标检测区域两侧的半导体体器件中形成通孔；所述通孔自上而下穿透所述半导体结构。

10.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中采用聚焦离子束工艺对所述半导体结构进行切割使所述目标检测区域分离。

11.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中采用原位取出方式取出所述目标检测结构。

12.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中TEM固定部件表面具有粘附所述目标检测区域的粘结层。

13.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中采用精减薄工艺去除所述金属连接层，去除后将所述目标检测区域继续减薄至TEM样品所要求的尺寸。

14.根据权利要求13所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：所述TEM样品所要求的尺寸为（5～30μm）*（50～300nm）*（2～10μm）。