[发明专利]平面型功率MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410024892.9 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103779415A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可减少光刻次数的平面型功率MOS器件的制造方法，步骤为：a)提供将第一导电类型外延层的表面作为第一主面、将第一导电类型衬底的表面作为第二主面的半导体基板；b)在第一主面上生长绝缘栅氧化层；c)淀积导电多晶硅；d)选择性地掩蔽和刻蚀多晶硅，e)注入第二导电类型杂质、并推阱，形成第二导电类型深阱区；f)淀积介质层；g)形成刻蚀孔，h)选择性地刻蚀介质层；i)注入第一导电类型杂质并推阱形成N+区，然后；j)以介质层为阻挡，刻蚀多晶阻挡块和多晶阻挡块底部剩余的栅氧化层；k)填充孔并淀积金属，并刻蚀金属形成源极金属和截止环金属；1)在第一导电类型衬底底部淀积金属作为漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环。
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