[发明专利]平面型功率MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环。

2.根据权利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的中心区在第一导电类型漂移区上间断设置有至少一个栅极多晶硅区，所述的场限环区在第一导电类型漂移区上间断设置有至少一个场限环多晶硅区，所述的栅极多晶硅区、场限环多晶硅区与第一导电类型漂移区之间设有用于隔离的绝缘栅氧化层；相邻的栅极多晶硅区之间、相邻的场限环多晶硅区之间以及相邻的栅极多晶硅区与场限环多晶硅区之间在第一导电类型漂移区内分别设置有一个第二导电类型阱；中心区所对应的第二导电类型阱内设置有两个第一导电类型注入区；所述截止环区内对应的第二导电类型阱内设置有一个第一导电类型注入区；第一主面上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层在两两栅极多晶硅区之间及截止环区开设有接触孔，中心区的绝缘介质层和接触孔中淀积有中心区金属，形成源极，截止环区的绝缘介质层和接触孔中淀积有截止环金属；第二主面上淀积有第二金属，形成漏极。

3.根据权利要求2所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的场限环区在第一导电类型漂移区间断设置有至少两个场限环多晶硅区。

4.根据权利要求1所述的平面型功率MOS器件的制造方法，其步骤为：

a)在第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层即第一导电类型漂移区，形成半导体基板，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；

b)在第一主面上生长绝缘栅氧化层；

c)淀积导电多晶硅；

d)选择性地掩蔽和刻蚀导电多晶硅，形成间断的多晶硅体；间断的多晶硅体包括：单胞区的MOS栅极多晶、场限环多晶和多晶阻挡块，多晶阻挡块的宽度不能太大，以保证后续注入在其两边的第二导电类型杂质在推阱后能够扩散在一起；同样，多晶阻挡块的宽度也不能太小，以保证后续注入在其两边的第一导电类型杂质在推阱后不相接；

e)注入第二导电类型杂质、并热推阱，形成第二导电类型阱；此处由于推阱作用，位于多晶阻挡块两边的第二导电类型杂质会扩散相接，形成MOS的阱区；

f)淀积绝缘介质层；

g)涂光刻胶，光刻显影光刻胶形成孔刻蚀的掩膜结构；

h)以g)步骤形成的掩膜，刻蚀绝缘介质层，在单胞区中露出多晶阻挡块；去除光刻胶；

i)以h)步中刻蚀后的绝缘介质层以及多晶阻挡块为阻挡层，注入第一导电类型杂质，并热推阱，形成第一导电类型注入区；

j)以绝缘介质层为阻挡，刻蚀多晶阻挡块和多晶阻挡块底部剩余的栅氧化层；

k)在第一主面上方淀积金属，选择性地掩蔽和刻蚀金属层，形成源极金属和截止环金属；

1)在第一导电类型衬底底部淀积金属作为漏极。