[发明专利]一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410018915.5 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104788452B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚祥;方健;李前勇;张怀宝 | 申请（专利权）人： | 浙江九洲药业股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D477/20 | 分类号： | C07D477/20;C07D477/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及医药中间体合成技术领域，尤其涉及一种厄他培南中间体晶型及其制备工艺技术领域，具体为一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺，所述的双保护基厄他培南晶型在衍射角2θ为5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°处有特征峰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 培南晶型 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有下列式(c)结构化合物的晶型，在衍射角2θ为5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°处有特征峰，
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