[发明专利]制造鳍式场效应晶体管器件的方法

摘要

本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

主权项

一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：接收具有硬掩模的衬底；在所述衬底上方形成多个芯轴部件；实施第一切割去除一个或多个芯轴部件以形成第一间隔；实施第二切割去除一个或多个芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔；在所述第一切割和所述第二切割之后，使用具有所述第一间隔和所述端部与端部间间隔的所述芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底以形成鳍；沉积间隔件层以完全填充相邻鳍之间的间隔，并覆盖与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍的侧壁；蚀刻所述间隔件层以在与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍上形成侧壁间隔件并且通过所述蚀刻暴露所述硬掩模；以及在所述第一间隔和所述端部与端部间间隔中形成隔离沟槽，其中，所述侧壁间隔件覆盖所述鳍并且所述间隔件层填充在所述相邻鳍之间的间隔中。