[发明专利]沟槽式功率金属氧化物半导体场效晶体管与其制造方法有效
| 申请号： | 201410010625.6 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104779282B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种沟槽式功率金属氧化物半导体场效晶体管与其制造方法，沟槽式功率金属氧化物半导体场效晶体管的磊晶层中形成有一内埋式的氧化物层，其位于基体区域的下方，用以改变纵向电场分布以提高晶体管的崩溃电压，借此得到较低的导通电阻。本发明的沟槽式功率金属氧化物半导体场效晶体管与其制造方法利用在磊晶层中形成一埋入式的氧化物层以改变纵向电场分布，借此提高元件的崩溃电压，所以可以突破硅限制，获得较低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：一基材，具有一第一重掺杂区；一磊晶层，形成于该基材上方，其中该磊晶层中具有一漂移区；一氧化物层，形成于该漂移区上方；一沟道区域，形成于该氧化物层的一侧；一基体区域，形成于该氧化物层与该沟道区域上方，其中该沟道区域连接该基体区域与该漂移区；一第二重掺杂区，形成于该基体区域上方；以及一沟槽栅极结构，形成于该第二重掺杂区与该基体区域的侧边；其中，该沟道区域位于该沟槽栅极结构与该氧化物层之间。
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