[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制作半导体器件的方法，本发明提出了一种新的去除Core区域和IO区域中虚拟栅极材料层的方法，采用沉积牺牲层覆盖IO器件区域来去除Core区域中的虚拟栅极材料层和虚拟栅极氧化层，以避免对半导体器件产生损伤的问题和避免光刻胶残留的问题，最终提高了半导体器件的性能。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域中的所述半导体衬底上形成第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构，其中所述第一虚拟栅极结构包括第一虚拟栅极材料层和第一栅极氧化层，所述第二虚拟栅极结构包括第二虚拟栅极材料层和第二栅极氧化层；去除所述第一虚拟栅极结构中部分的所述第一虚拟栅极材料层和所述第二虚拟栅极结构中部分的所述第二虚拟栅极材料层；在所述半导体衬底上形成牺牲层；去除所述第一区域中的所述牺牲层；仅采用湿法刻蚀或反应腔室内没有等离子体的干法刻蚀去除所述第一区域中的剩余的所述第一虚拟栅极材料层和所述第一栅极氧化层，以形成第一沟槽；在所述第一沟槽的底部形成界面层；去除所述第二区域中的所述牺牲层和剩余的所述第二虚拟栅极材料层，以露出所述第二栅极氧化层。