[发明专利]三维半导体器件、包括其的可变电阻存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410003667.7 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104425608B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种三维半导体器件、包括三维半导体器件的电阻可变存储器件、以及制造三维半导体器件的方法。所述三维半导体器件包括：源极，由第一半导体材料形成；沟道层，形成在源极上并且由第一半导体材料形成；轻掺杂漏极LDD区，形成在沟道层上并且由具有比第一半导体材料高的氧化速率的第二半导体材料形成；漏极，形成在LDD区上并且由第一半导体材料形成；以及栅绝缘层，形成在沟道层、LDD区以及漏极的外周缘上。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 包括 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维3D半导体器件，包括：源极，所述源极由第一半导体材料形成；沟道层，所述沟道层形成在所述源极上，并且由所述第一半导体材料形成；轻掺杂漏极LDD区，所述LDD区形成在所述沟道层上，并且由第二半导体材料形成，所述第二半导体材料具有比所述第一半导体材料高的氧化速率；漏极，所述漏极形成在所述LDD区上，并且由所述第一半导体材料形成；以及栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述沟道层、所述LDD区以及所述漏极的外周缘上，其中，所述栅绝缘层的形成在所述LDD区的外周缘上的部分比所述栅绝缘层形成在所述沟道层和所述漏极的外周缘上的部分厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410003667.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效跟踪太阳能电池板
- 下一篇：成像元件和成像装置
- 同类专利
- 专利分类
