[发明专利]一种Si/C/Zr陶瓷前驱体及其制备方法无效
| 申请号： | 201410003655.4 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103772709A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 胡继东;陶孟;李军平;冯志海 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C07F17/00;C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si/C/Zr陶瓷前驱体及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明制备的Si/C/Zr陶瓷前驱体采用格式偶联反应方法制备，可将Si与Zr元素以原子水平同时引入到聚合物主链中，得到硅锆一体化聚合物，合成工艺简单易行，合成产率及产物纯度较高；本发明反应原料聚碳硅烷中含Si-H键及C≡C键，热固性好，在一定的温度下可自身交联固化，且固化放热量小，固化失重低，工艺性好，且陶瓷产率高，可达60-70%；本发明Si/C/Zr陶瓷前驱体可用于超高温陶瓷基复合材料浸渍基体，亦可用于Si/C/Zr陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备，具有广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si zr 陶瓷 前驱 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si/C/Zr陶瓷前驱体，其特征在于结构为： ![]()
其中R为氢、甲基、炔基、炔丙基或烯丙基；k、m、n均为正整数，且k≥1；m≥1；n≥1。
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