[发明专利]用于隧穿场效应晶体管(TFET)的异质袋状件有效
| 申请号： | 201380081117.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105793992B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;R·科特利尔;G·杜威;B·舒-金;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所描述的本公开内容的实施例包括一种遂穿场效应晶体管(TFET)，该TFET具有：漏极区；源极区，所述源极区具有与所述漏极区相反的导电类型；沟道区，所述沟道区被布置在所述源极区与所述漏极区之间；栅极，所述栅极被布置在所述沟道区上方；以及异质袋状件，所述异质袋状件被布置在所述源极区和所述沟道区的结附近。所述异质袋状件包括与所述沟道区不同的半导体材料，并且包括比所述沟道区中的带隙低的遂穿势垒，并且在所述沟道区中形成量子阱，以便当向所述栅极施加的电压高于阈值电压时增加通过所述TFET晶体管的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 tfet 异质袋状件 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管(TFET)，包括：漏极区；源极区，所述源极区具有与所述漏极区相反的导电类型；沟道区，所述沟道区被布置在所述源极区与所述漏极区之间；栅极，所述栅极被布置在所述沟道区上方；以及异质袋状件，所述异质袋状件被布置在所述源极区和所述沟道区的结附近，其中，所述异质袋状件包括与所述沟道区不同的半导体材料，并且其中，所述异质袋状件包括比所述沟道区的带隙低的隧穿势垒从而形成量子阱，以便当向所述栅极施加的电压高于阈值电压时增加通过所述TFET的电流，其中，所述源极区的价带与所述异质袋状件的离散能级匹配。
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