[发明专利]用于优化STT-MRAM尺寸和写入误差率的装置和方法有效
| 申请号： | 201380079115.8 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105493189B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种装置，其包括：第一选择线；第二选择线；位线；第一位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第一位单元耦合到所述第一选择线和所述位线；缓冲器，其具有耦合到所述第一选择线的输入端、以及耦合到所述第二选择线的输出端；以及第二位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第二位单元耦合到所述第二选择线和所述位线。描述了一种磁随机存取存储器(MRAM)，包括：多个行，每行包括多个位单元和多个缓冲器，每个位单元具有耦合到晶体管的MTJ器件，每个缓冲器用于为所述多个位单元中的一组位单元缓冲选择线信号；以及多条位线，每行在所述行的所述多个位单元之间共享单条位线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 优化 stt mram 尺寸 写入 误差 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低写入误差率的装置，所述装置包括：第一选择线；第二选择线；位线；第一位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第一位单元耦合到所述第一选择线和所述位线；缓冲器，其具有耦合到所述第一选择线的输入端、以及耦合到所述第二选择线的输出端，所述缓冲器用于将来自所述第一选择线的信号中继到所述第二选择线；以及第二位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第二位单元耦合到所述第二选择线和所述位线。
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