[发明专利]用于增强型GaN半导体器件的复合高K金属栅极堆叠体在审
| 申请号： | 201380079075.7 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105474401A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·S·周;S·H·宋;S·K·加德纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有复合高k金属栅极堆叠体的增强型氮化镓(GaN)半导体器件及其制造方法。在示例中，一种半导体器件包括设置在衬底上方的氮化镓(GaN)沟道区。栅极堆叠体设置在所述GaN沟道区上。所述栅极堆叠体包括直接设置在所述GaN沟道区与栅电极之间的复合栅极电介质层。所述复合栅极电介质层包括高带隙Ⅲ族-N层、第一高K电介质氧化物层、以及第二高K电介质氧化物层，所述第二高K电介质氧化物层与所述第一高K电介质氧化物层相比具有较高的介电常数。源极/漏极区设置在所述GaN沟道区的任一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 gan 半导体器件 复合 金属 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的氮化镓(GaN)沟道区；设置在所述GaN沟道区上的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括直接设置在所述GaN沟道区与栅电极之间的复合栅极电介质层，其中，所述复合栅极电介质层包括高带隙Ⅲ族‑N层、第一高K电介质氧化物层、以及第二高K电介质氧化物层，所述第二高K电介质氧化物层与所述第一高K电介质氧化物层相比具有较高的介电常数；以及设置在所述GaN沟道区的任一侧上的源极/漏极区。
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