[发明专利]用于剥离掩模层的牺牲材料有效
申请号: | 201380079021.0 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN105474369B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | S·孙达拉拉詹;N·拉哈尔-乌拉比;L·古勒尔;M·哈珀;R·T·特勒格尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/027 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中,对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后,利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下,去除掩模的至少顶部部分。然后,去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中,利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前,去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。 | ||
搜索关键词: | 用于 剥离 掩模层 牺牲 材料 | ||
【主权项】:
1.一种制造集成器件的方法,所述方法包括:接纳具有图案化的掩模的衬底,其中,所述掩模包括多个掩模材料层,所述多个掩模材料层包括设置于所述衬底之上并且第二掩模材料层之下的第一掩模材料层,其中所述第二掩模材料层与所述第一掩模材料层具有不同的成分;在一个或多个层的至少一部分中蚀刻图案;利用牺牲材料回填所蚀刻的图案,其中,所述牺牲材料与所述第一掩模材料层具有相同的成分;在所述牺牲材料存在的情况下去除所述掩模的至少顶部部分;以及相对于经图案化的一个或多个层选择性地去除所述牺牲材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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