[发明专利]用于剥离掩模层的牺牲材料有效

专利信息
申请号: 201380079021.0 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN105474369B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: S·孙达拉拉詹;N·拉哈尔-乌拉比;L·古勒尔;M·哈珀;R·T·特勒格尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/312 分类号: H01L21/312;H01L21/027
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中,对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后,利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下,去除掩模的至少顶部部分。然后,去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中,利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前,去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。
搜索关键词: 用于 剥离 掩模层 牺牲 材料
【主权项】:
1.一种制造集成器件的方法,所述方法包括:接纳具有图案化的掩模的衬底,其中,所述掩模包括多个掩模材料层,所述多个掩模材料层包括设置于所述衬底之上并且第二掩模材料层之下的第一掩模材料层,其中所述第二掩模材料层与所述第一掩模材料层具有不同的成分;在一个或多个层的至少一部分中蚀刻图案;利用牺牲材料回填所蚀刻的图案,其中,所述牺牲材料与所述第一掩模材料层具有相同的成分;在所述牺牲材料存在的情况下去除所述掩模的至少顶部部分;以及相对于经图案化的一个或多个层选择性地去除所述牺牲材料。
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