[发明专利]太阳能电池的制造方法

摘要

本发明为在半导体基板的表面及背面具有不同的导电型的扩散层的太阳能电池的制造方法，包括被覆上述半导体基板的至少一部分区域地形成含有杂质的扩散保护掩模的工序；在用含有杂质的扩散保护掩模被覆了上述半导体基板的至少一部分区域的状态下实施包含热工序的扩散工序、在被上述扩散保护掩模覆盖了的第1区域形成第1杂质扩散层、且在从上述扩散保护掩模暴露的第2区域形成成为与上述扩散保护掩模不同的杂质浓度或不同的导电性的第2杂质扩散层。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，其为在半导体基板的表面及背面具有不同的导电型的扩散层的太阳能电池的制造方法，包括：被覆所述半导体基板的单面地形成含有与扩散时的杂质源不同的第1杂质的扩散保护掩模的工序；和接着以下的扩散工序：将所述半导体基板的单面在用含有所述第1杂质的所述扩散保护掩模被覆了的状态下、在含有与所述第1杂质不同的导电型的第2杂质的气体中、实施包含将在所述扩散保护掩模中所含有的所述第1杂质和所述气体中所含有的所述第2杂质进行扩散的热工序的两面同时扩散工序、从所述扩散保护掩模将所述第1杂质扩散而在所述单面形成第1杂质扩散层、且将在所述气体中所含有的所述第2杂质扩散而在所述半导体基板的另一个面形成成为与所述第1杂质扩散层不同的导电性的第2杂质扩散层的扩散工序。