[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，其为在半导体基板的表面及背面具有不同的导电型的扩散层的太阳能电池的制造方法，包括：

被覆所述半导体基板的单面地形成含有与扩散时的杂质源不同的第1杂质的扩散保护掩模的工序；和接着

以下的扩散工序：

将所述半导体基板的单面在用含有所述第1杂质的所述扩散保护掩模被覆了的状态下、在含有与所述第1杂质不同的导电型的第2杂质的气体中、实施包含将在所述扩散保护掩模中所含有的所述第1杂质和所述气体中所含有的所述第2杂质进行扩散的热工序的两面同时扩散工序、

从所述扩散保护掩模将所述第1杂质扩散而在所述单面形成第1杂质扩散层、

且将在所述气体中所含有的所述第2杂质扩散而在所述半导体基板的另一个面形成成为与所述第1杂质扩散层不同的导电性的第2杂质扩散层的扩散工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述两面同时扩散工序之后，具有将端部为了接合分离而进行蚀刻的端面蚀刻工序。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括使用SiN膜作为氧化保护掩模、在从所述扩散保护掩模暴露的面形成钝化膜的工序。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成所述扩散保护掩模的工序是通过印刷法来形成含有所述第1杂质的膜的工序。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成所述扩散保护掩模的工序为旋涂法、CVD法、溅射法的任一种。

6.根据权利要求1-5的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成所述扩散保护掩模的工序是将所述半导体基板的背面侧用含有第1杂质的扩散保护掩模被覆的工序，

所述扩散工序是在受光面侧将第2杂质进行扩散、且在背面侧将第1杂质进行扩散的工序。

7.根据权利要求1-5的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括在所述半导体基板表面形成纹理构造的工序之前形成所述扩散保护掩模的工序，

形成所述纹理构造的工序是在除了形成有所述扩散保护掩模的区域形成纹理构造的工序。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括在所述半导体基板表面形成纹理构造的工序之前形成所述扩散保护掩模的工序，

形成所述纹理构造的工序是在除了形成有所述扩散保护掩模的区域形成纹理构造的工序。