[发明专利]用于制造电致发光纳米线的优化方法

摘要

本发明涉及一种用于在衬底的表面上制造一组纳米线(NT_n)的方法，所述纳米线具有能够在电控制或光控制的作用下在至少一个波长(λ)发射辐射的部分，并且通过上导电层(60)而至少部分地互相电连接，所述工艺的特征在于包括能够在有效纳米线(NTj)当中识别失效的纳米线(NTi)的子集的步骤，所述步骤包括：-制造对所述发射波长(λ)敏感的负性感光树脂层，覆盖所述纳米线的全部；-在电控制或者光控制下激活所述纳米线的全部，使得所述有效纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负性树脂的溶解性；-对在失效纳米线(NTi)处的所述树脂进行显影，留下变得更难溶解并且围绕所述有效纳米线(NTj)的区域；-去除在所述失效纳米线上方的所述导电层。本发明还涉及使用本发明的工艺而用于制造电致发光的二极管的方法。

主权项

一种用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，所述纳米线包括能够在电控制或光控制的作用下在至少一个波长(λ)发射辐射的部分，并且通过导电上层而至少部分地互相电连接，所述工艺的特征在于包括能够在有效纳米线(NT_j)当中识别有缺陷的纳米线(NT_i)的子集的步骤，所述步骤包括：‑制造对所述发射波长(λ)敏感的负性光刻胶层，覆盖所述纳米线的阵列；‑在电控制或者光控制下激活所述纳米线的阵列，使得所述有效纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负性抗蚀剂的溶解性；‑对与有缺陷的纳米线(NT_i)对齐的所述抗蚀剂进行显影，留下变得更难溶解并且围绕所述有效纳米线(NT_j)的区；以及‑去除在所述有缺陷的纳米线上方的所述导电层。