[发明专利]用于制造电致发光纳米线的优化方法

权利要求书

1.一种用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，所述纳米线包括能够在电控制或光控制的作用下在至少一个波长(λ)发射辐射的部分，并且通过导电上层而至少部分地互相电连接，所述工艺的特征在于包括能够在有效纳米线(NT_j)当中识别有缺陷的纳米线(NT_i)的子集的步骤，所述步骤包括：

-制造对所述发射波长(λ)敏感的负性光刻胶层，覆盖所述纳米线的阵列；

-在电控制或者光控制下激活所述纳米线的阵列，使得所述有效纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负性抗蚀剂的溶解性；

-对与有缺陷的纳米线(NT_i)对齐的所述抗蚀剂进行显影，留下变得更难溶解并且围绕所述有效纳米线(NT_j)的区；以及

-去除在所述有缺陷的纳米线上方的所述导电层。

2.根据权利要求1所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)阵列的工艺，其特征在于所述抗蚀剂包含在两根连续的纳米线之间的间隙(Oi)，包括在所述间隙(Oi)中制造在所述波长λ是吸收性的特征(M_λi)。

3.一种用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，所述纳米线包括能够在电控制或光控制的作用下在至少一个波长(λ)发射辐射的部分，并且通过上导电层而至少部分地互相电连接，所述工艺的特征在于包括能够在有效纳米线(NT_j)当中识别有缺陷的纳米线(NT_i)的子集的步骤，所述步骤包括：

-沉积在所述发射波长是吸收性的并且对被称作辅助波长(λ_a)的波长敏感的正性光刻胶层，覆盖全部所述纳米线覆盖全部所述纳米线；

-除了在位于两根连续的纳米线之间的区域外，将所述正性抗蚀剂暴露在所述辅助波长(λ_a)的辐射，从而形成溶解性降低的特征(M_λj)；

-对所述正性抗蚀剂进行显影，从而只留下在所述衬底的表面上的两根连续的纳米线之间的溶解性降低的所述正性抗蚀剂特征(M_λj)；

-沉积对所述发射波长(λ)敏感的负性光刻胶层，覆盖全部所述纳米线与全部位于两根连续纳米线之间的特征；

-在电控制或者光控制下激活全部所述纳米线，使得所述有效纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负性抗蚀剂的溶解性；

-对与有缺陷的纳米线对齐的所述负性光刻胶进行显影，留下变得更难溶解并且围绕所述有效纳米线的区；以及

-去除在所述有缺陷的纳米线上方的所述导电层。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于纳米线的结构基于III-V族异质结。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于包括通过所述负性光刻胶而制造接触。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于所述纳米线通过在可能为约235nm的波长的光控制而激活。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于通过化学操作而去除导电层。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于纳米线基于GaN或者包含GaN的合金。

9.根据权利要求8所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)阵列的工艺，其特征在于包括基于GaN或包含GaN的合金、GaN或包含n型掺杂GaN的合金以及GaN或包含p型掺杂GaN的合金的异质结纳米线的外延生长。

10.根据权利要求9所述的用于在衬底的表面上制造纳米线(NT_n)的阵列的工艺，其特征在于包括在垂直于衬底的平面中的轴向外延生长的步骤。