[发明专利]具有有利晶体倾斜的薄膜热电器件有效
| 申请号： | 201380069567.8 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105051924B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | R.P.沃多;P.A.迪恩;T.P.施奈德;J.R.威廉森 | 申请（专利权）人： | 内克斯特里姆热敏技术公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;张懿 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造热电器件的方法包括提供具有从其表面突出的多个斜向生长表面的衬底。在这些斜向生长表面上生长相应的热电材料层，并且相应的热电材料层聚结以共同地限定连续的热电膜。与衬底表面相对的热电膜表面可以是基本上平坦的，并且热电膜的结晶取向可以相对于沿着其厚度的方向以约45度或更小的角度倾斜。还讨论了相关的器件和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有利 晶体 倾斜 薄膜 热电器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造热电器件的方法，该方法包括：提供具有从其表面突出的多个斜向生长表面的衬底；以及在所述斜向生长表面上生长聚结以共同地限定连续的热电膜的相应的热电材料层；其中，斜向生长表面相对于与衬底表面垂直的方向以45度或更小的角度倾斜。
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