[发明专利]用于形成绝缘涂层的溶液及晶粒取向电工钢片有效

专利信息
申请号: 201380069093.7 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN105051255B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 雷吉斯·勒迈特;卢德格尔·拉恩;卡斯滕·舍佩尔斯;山崎修一;竹田和年;高桥克;佐藤博彦;金桥康二 申请(专利权)人: 蒂森克虏伯电工钢有限公司;日本制铁株式会社
主分类号: C23C22/07 分类号: C23C22/07;H01F1/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 樊晓焕;金小芳
地址: 德国盖*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种用于形成晶粒取向电工钢片的绝缘涂层的溶液,包括通过将磷酸盐溶液和胶体二氧化硅混合制备而成的水溶液。该水溶液中不添加铬。所述胶体二氧化硅包括经铝酸盐表面改性的二氧化硅颗粒,或者其是通过向诸如常规胶体二氧化硅之类的胶体二氧化硅中加入铝酸盐制备而成的。
搜索关键词: 用于 形成 绝缘 涂层 溶液 晶粒 取向 电工 钢片
【主权项】:
1.一种包含绝缘涂层的晶粒取向电工钢片,其中所述绝缘涂层是通过使用用于形成晶粒取向电工钢片的绝缘涂层的溶液形成的,所述溶液包含通过将磷酸盐溶液和胶体二氧化硅混合而制备的水溶液,其中所述胶体二氧化硅的二氧化硅颗粒经铝酸盐表面改性或者所述胶体二氧化硅的溶液包含铝酸盐,并且所述水溶液不含铬,其中在所述绝缘涂层的横截面中,孔隙所占的面积分数小于10%,其中所述绝缘涂层包括磷的化学结构,使得所述绝缘涂层的31P核磁共振谱图显示出在‑35ppm左右的31P化学位移,其中31P化学位移是以85质量%的H3PO4溶液为参照,并且其中在将峰位置定在0到‑60ppm的范围内使用高斯拟合计算总的峰面积以及所述在‑35ppm左右的31P化学位移的峰面积时,所述在‑35ppm左右的31P化学位移的峰面积大于所述总的峰面积的30%。
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