[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示设备在审
| 申请号： | 201380068063.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104871321A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 权世烈;曹旻求;尹相天 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及包括薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括在氧化物半导体层上形成的栅电极，使得氧化物半导体层的第一表面面对栅电极。源电极和漏电极分别电连接至氧化物半导体层。氧化物半导体层、栅电极、源电极和漏电极以共面晶体管构造布置。还布置光阻挡元件，以使氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 包括 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种共面薄膜晶体管，其包括：氧化物半导体层，其形成在基板上；栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述栅电极；源电极和漏电极，其电连接至所述氧化物半导体层，所述源电极和所述漏电极中的至少一个的一部分覆盖所述氧化物半导体层的第二表面，所述第二表面在所述氧化物半导体层的侧面上；多个缓冲层，其设置在所述基板与所述氧化物半导体层的第三表面之间，所述第三表面与所述第一表面相反，所述多个缓冲层包括第一缓冲层和邻近所述第一缓冲层的第二缓冲层，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层具有不同折射率，所述折射率限定用于光折射的临界角；以及光屏蔽层，其设置在所述多个缓冲层内，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的沟道区完全重叠。
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