[发明专利]用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物

摘要

本发明涉及用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物和施加所述水性组合物来蚀刻铜和铜合金的工艺。所述水性组合物包含Fe³⁺离子的来源、至少一种酸、至少一种三唑或四唑衍生物和至少一种蚀刻添加剂，所述蚀刻添加剂选自N‑烷基化亚氨基二丙酸、其盐、经修饰聚二醇醚和季亚脲基聚合物。所述水性组合物尤其可用于在印刷电路板、IC衬底等的制造中制作精细结构。

主权项

一种用于蚀刻铜和铜合金的水性组合物，其包含Fe³⁺离子的来源、至少一种酸、至少一种三唑或四唑衍生物和至少一种蚀刻添加剂，所述蚀刻添加剂选自由N‑烷基化亚氨基二丙酸、其盐、经修饰聚二醇醚和季亚脲基聚合物组成的群组，其中所述经修饰聚二醇醚选自由式(II)化合物组成的群组：其中R¹¹和R¹⁷可相同或不同且独立地选自由以下组成的群组：H或反离子、经取代或未经取代、直链或具支链的C₁‑C₂₀烷基、直链或具支链的C₁‑C₆烷芳基、烯丙基、芳基、硫酸酯、磷酸酯、卤化物和磺酸酯，且其中多个R¹²、R¹³、R¹⁵和R¹⁶基团中的每一者可相同或不同且独立地选自由以下组成的群组：H或直链或具支链、经取代或未经取代的C₁‑C₆烷基，且其中R¹⁴选自由以下组成的群组：直链或具支链、经取代或未经取代的C₁‑C₁₂亚烷基；1,2‑、1,3‑或1,4‑经取代的芳基；1,3‑、1,4‑、1,5‑、1,6‑或1,8‑经取代的萘基；高碳环化芳基；环烷基和‑O‑CH₂(CH₂)_nOR¹¹，其中R¹¹具有上文所定义的含义且R¹⁴选自由式(III)表示的基团其中所述取代对于每一环来说独立地为1,2‑、1,3‑或1,4‑，且其中q和r相同或不同且为0到10，且R¹⁸和R¹⁹独立地选自由H或直链或具支链的C₁‑C₆烷基组成的群组，且其中m、n、o和p是介于0到200范围内的整数且可相同或不同，且m+n+o+p至少为2。