[发明专利]使用等离子体预处理和高温蚀刻剂沉积的方向性二氧化硅蚀刻

摘要

本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温度的同时形成一种或更多种挥发性产物，和加热所述基板至高于第一温度的第二温度以升华所述挥发性产物。

主权项

1.一种用于方向性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：将基板定位于处理腔室内，所述基板包括：暴露表面，具有在所述暴露表面中形成的一个或更多个特征，所述特征包括底表面；和氧化物层，所述氧化物层形成于所述暴露表面上；将所述基板偏压；将所述基板暴露于低能直接惰性等离子体中，以在所述暴露表面和所述特征的底表面上有选择地形成物理或化学活化物质；加热所述基板至第一温度；将所述基板暴露于包括氟化铵(NH4F)或NH4F(HF)的处理气体中，以在所述暴露表面和所述特征的底表面上形成一种或更多种挥发性产物；和加热所述基板至高于所述第一温度的第二温度，以升华所述一种或更多种挥发性产物。