[发明专利]传感器和光刻设备有效
| 申请号： | 201380060745.0 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104797981A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | S·尼蒂亚诺维;H·科克;M·威伦斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种背照式传感器，包括支撑衬底、半导体层和p型掺杂保护材料层，半导体层包括光电二极管，光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域，其中耗尽区域被形成在n型掺杂半导体区域和p型掺杂半导体区域之间，p型掺杂保护材料层设置在半导体层的第二表面上，其中半导体层的第一表面被固定到支撑衬底的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 光刻 设备 | ||
【主权项】：
一种背照式辐射传感器，包括：半导体层，其包括光电二极管，所述光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在所述半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域，其中耗尽区域被形成在所述n型掺杂半导体区域和所述p型掺杂半导体区域之间；p型掺杂保护材料层，设置在所述半导体层的第二、背侧表面上；以及扩散层，被形成在所述p型掺杂保护材料层下方，从而提供所述p型掺杂保护材料层和所述p型掺杂半导体区域之间的过渡；其中所述扩散层生成内部电场，所述内部电场补充由所述光电二极管生成的电场。
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