[发明专利]传感器和光刻设备有效
申请号: | 201380060745.0 | 申请日: | 2013-10-09 |
公开(公告)号: | CN104797981A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | S·尼蒂亚诺维;H·科克;M·威伦斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 光刻 设备 | ||
1.一种背照式辐射传感器,包括:
半导体层,其包括光电二极管,所述光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在所述半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域,其中耗尽区域被形成在所述n型掺杂半导体区域和所述p型掺杂半导体区域之间;
p型掺杂保护材料层,设置在所述半导体层的第二、背侧表面上;以及
扩散层,被形成在所述p型掺杂保护材料层下方,从而提供所述p型掺杂保护材料层和所述p型掺杂半导体区域之间的过渡;
其中所述扩散层生成内部电场,所述内部电场补充由所述光电二极管生成的电场。
2.一种背照式辐射传感器,包括:
半导体层,其包括光电二极管,所述光电二极管包括n型掺杂半导体区域和设置在所述半导体层的第一表面处的p型掺杂半导体区域,其中耗尽区域被形成在所述n型掺杂半导体区域和所述p型掺杂半导体区域之间;
n型掺杂保护材料层,设置在所述半导体层的第二、背侧表面上;以及
扩散层,被形成在所述n型掺杂保护材料层下方,从而提供所述n型掺杂保护材料层和所述n型掺杂半导体区域之间的过渡;
其中所述扩散层生成内部电场,所述内部电场补充由所述光电二极管生成的电场。
3.根据权利要求1或者2所述的背照式传感器,其中所述耗尽区域延伸到发生所述掺杂保护材料和所述半导体层之间的过渡的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的背照式传感器,其中所述掺杂保护材料以低于500℃的温度被沉积在所述半导体层上。
5.根据权利要求1所述的背照式传感器,其中所述p型掺杂保护材料从硼、硼化物或其混合物中选择。
6.根据权利要求2所述的背照式传感器,其中所述n型掺杂保护材料从砷、磷或其混合物中选择。
7.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述扩散层是梯度扩散层。
8.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述扩散层包括具有比所述半导体层显著更少的悬挂键的激活化合物。
9.根据权利要求7所述的背照式传感器,其中所述激活化合物是硅化物。
10.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述掺杂保护层的厚度小于30nm。
11.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述扩散层的厚度小于30nm。
12.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,进一步包括支撑衬底,其中所述半导体层的所述第一表面被固定到所述支撑衬底的表面。
13.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中本征半导体设置在所述n型掺杂半导体区域和所述p型掺杂半导体区域之间。
14.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中电路设置在所述光电二极管和所述支撑衬底之间。
15.根据权利要求14所述的背照式传感器,其中所述电路是CMOS电路。
16.根据权利要求14或者权利要求15所述的背照式传感器,其中保护层设置在所述集成电路和所述支撑衬底之间。
17.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述光电二极管是全部共享相同的半导体层的光电二极管阵列中的光电二极管。
18.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述p型掺杂半导体是硅。
19.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述n型掺杂半导体是硅。
20.根据任一前述权利要求所述的背照式传感器,其中所述传感器用于在EUV辐射、DUV辐射、VIS辐射或者低能粒子束的检测中使用。
21.一种背照式辐射传感器,包括:
半导体层,CCD阵列设置在所述半导体层的第一表面处,并且p型掺杂保护材料层设置在所述半导体层的第二表面上;以及
扩散层,被形成在所述p型掺杂保护材料层下方,从而提供所述p型掺杂保护材料层和所述p型掺杂半导体区域之间的过渡;
其中所述扩散层生成内部电场,所述内部电场补充由所述光电二极管生成的电场。
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