[发明专利]用于形成窄垂直柱的方法及具有窄垂直柱的集成电路装置

摘要

在一些实施例中，一种集成电路包含填充形成于所述集成电路中的开口的窄垂直延伸柱。在一些实施例中，所述开口可含有用以形成相变存储器单元的相变材料。由所述柱占据的所述开口可使用在不同垂直层级上形成的例如间隔物的交叉牺牲材料线来界定。所述材料线可通过允许形成极细线的沉积工艺来形成。所述线的相交点处的所暴露材料经选择性地移除以形成所述开口，所述开口具有由所述线的宽度确定的尺寸。举例来说，所述开口可填充有相变材料。

主权项

一种形成集成电路的方法，其包括：在衬底上方的第一层级上形成第一层级牺牲结构；沿着所述第一层级牺牲结构的侧壁形成第一组间隔物；在所述第一组间隔物中的间隔物的侧处形成第一层级填料材料，所述第一层级填料材料及所述第一层级牺牲结构在其之间界定第一层级间隔物体积；在所述第一层级牺牲结构及所述第一层级间隔物体积上面的第二层级上形成第二层级牺牲结构，所述第二层级牺牲结构跨越所述第一层级牺牲结构的宽度；沿着所述第二层级牺牲结构的侧壁形成第二组间隔物；在所述第二组间隔物中的间隔物的侧处形成第二层级填料材料；选择性地移除所述第二组间隔物以暴露所述第一层级间隔物体积的部分；选择性地移除所述第一层级间隔物体积中的所述所暴露材料以在所述第一层级上形成开口；填充所述开口；及在所述第二层级上方的第三层级上形成顶部电极，所述电极在所述第一层级上的所述经填充开口中的一或多者正上方延伸。