[发明专利]激光退火方法以及激光退火装置在审

专利信息
申请号: 201380060413.2 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN104798180A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 次田纯一;町田政志;郑石焕 申请(专利权)人: 株式会社日本制钢所
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/268
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 金明花;冯雅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了减少由激光的能量输出的变动引起的照射不均,在非单晶半导体上将射束截面形状为直线束的脉冲激光沿所述直线束的短轴方向扫描并进行照射的激光退火方法中,所述直线束在射束强度分布中具有位于短轴方向端部的陡峭部,所述陡峭部是具有所述射束强度分布中最大强度的10%以上且90%以下的强度的区域,以使陡峭部中位于扫描方向后方侧的短轴方向宽度在非单晶半导体膜的照射面上为50μm以下的条件进行前述照射,由此可使陡峭部急陡化,减轻由能量输出变动时的熔融宽度的变动引起的影响而减少照射不均。
搜索关键词: 激光 退火 方法 以及 装置
【主权项】:
激光退火方法,该方法是在非单晶半导体膜上将射束截面形状为直线束的脉冲激光沿前述直线束的短轴方向扫描并进行照射的激光退火方法,其特征在于,前述直线束在射束强度分布中具有位于短轴方向端部的陡峭部,前述陡峭部是具有前述射束强度分布中最大强度的10%以上且90%以下的强度的区域,以使前述陡峭部中位于扫描方向后方侧的前述陡峭部的短轴方向宽度在前述非单晶半导体膜的照射面上为50μm以下的条件进行前述照射。
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